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BLS6G2731-120,112
RF FET Transistor, 32 V, 33 A, 120 W, 2.7 GHz, 3.1 GHz, SOT-502B
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteBLS6G2731-120,112
Código Newark70R2898
Seu número de peça
Ficha técnica
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
Informação do produto
FabricanteNXP
Nº da peça do fabricanteBLS6G2731-120,112
Código Newark70R2898
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds32V
Continuous Drain Current Id33A
Power Dissipation120W
Power Dissipation Pd120W
Operating Frequency Min2.7GHz
Operating Frequency Max3.1GHz
Transistor Case StyleSOT-502B
No. of Pins2Pins
RF Transistor CaseSOT-502B
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
32V
Power Dissipation
120W
Operating Frequency Min
2.7GHz
Transistor Case Style
SOT-502B
RF Transistor Case
SOT-502B
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
33A
Power Dissipation Pd
120W
Operating Frequency Max
3.1GHz
No. of Pins
2Pins
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2024)
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