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IPB038N12N3GATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 120A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.850 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Full Reel)
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 2,850.00
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB038N12N3GATMA1
Código Newark86AK5155
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para IPB038N12N3GATMA1
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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