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XP3N2R8AMT
MOSFET, N-CH, 30V, 103A, PMPAK
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FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3N2R8AMT
No. Parte Newark70AK6963
Rango de ProductoXP3N2R8A Series
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
2,985 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.842 |
| 10+ | $0.694 |
| 25+ | $0.619 |
| 50+ | $0.554 |
| 100+ | $0.480 |
| 250+ | $0.426 |
| 500+ | $0.345 |
| 1000+ | $0.333 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.84
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3N2R8AMT
No. Parte Newark70AK6963
Rango de ProductoXP3N2R8A Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id103
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2800µohm
Diseño de TransistorPMPAK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoXP3N2R8A Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
103
Diseño de Transistor
PMPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2800µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
XP3N2R8A Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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