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XP3700M
MOSFET, N & P-CH, 30V, 7.8A, SOIC
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FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3700MCopiar
No. Parte Newark70AK6981
Rango de ProductoXP3700 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.090 |
| 10+ | $0.940 |
| 25+ | $0.852 |
| 50+ | $0.778 |
| 100+ | $0.660 |
| 250+ | $0.592 |
| 500+ | $0.521 |
| 1000+ | $0.501 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP3700MCopiar
No. Parte Newark70AK6981
Rango de ProductoXP3700 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoXP3700 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
XP3700 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto