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XP2N1K2EN1
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Montaje Superficial
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FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP2N1K2EN1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark70AK6937
Rango de ProductoXP2N1K2E Series
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160 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.394 |
| 10+ | $0.304 |
| 25+ | $0.210 |
| 50+ | $0.175 |
| 100+ | $0.148 |
| 250+ | $0.120 |
| 500+ | $0.102 |
| 1000+ | $0.085 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$1.97
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP2N1K2EN1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark70AK6937
Rango de ProductoXP2N1K2E Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Diseño de TransistorSOT-723
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoXP2N1K2E Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Diseño de Transistor
SOT-723
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
XP2N1K2E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto