Imprimir página
C3M0280090J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0280090JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark98Y6021
Rango de ProductoC2M
Su número de pieza
88 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.350 |
| 10+ | $5.720 |
| 25+ | $5.160 |
| 50+ | $4.600 |
| 100+ | $4.230 |
| 250+ | $3.920 |
| 500+ | $3.600 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.35
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0280090JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark98Y6021
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id11
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia de Activación Rds(on)0.28ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.28
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd50W
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia50
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.28
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
50
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.28ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
