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C3M0016120K
MOSFET SIC, CANAL N, 1.2KV 115A TO-247-4
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FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0016120KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark21AH3202
Rango de ProductoC3M
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0016120KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark21AH3202
Rango de ProductoC3M
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id115
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0223
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd556W
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6
Disipación de Potencia556
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoC3M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0223
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
556
Rango de Producto
C3M
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
556W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza C3M0016120K
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
