Imprimir página
WNSC2M75120TB6J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 42.6 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TSPAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M75120TB6JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM4942RL
Cinta adhesiva27AM4942
Su número de pieza
350 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.130 | $7.13 |
| Total Precio | $7.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.130 |
| 10+ | $6.420 |
| 25+ | $5.980 |
| 50+ | $5.510 |
| 100+ | $4.930 |
| 250+ | $4.140 |
| 500+ | $3.980 |
| 1200+ | $3.810 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M75120TB6JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)27AM4942RL
Cinta adhesiva27AM4942
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id42.6
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Diseño de TransistorTSPAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia228
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
42.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TSPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
228
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto