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WNSC2M75120R6Q
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 53.9 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M75120R6Q
No. Parte Newark27AM4941
Hoja de datos técnicos
229 En Inventario
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60 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
169 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.560 |
| 10+ | $5.760 |
| 25+ | $5.500 |
| 50+ | $5.230 |
| 100+ | $4.970 |
| 480+ | $4.780 |
| 720+ | $4.590 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.56
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M75120R6Q
No. Parte Newark27AM4941
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id53.9
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia366
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
53.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
366
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto