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WNSC2M20120TB6J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 134 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TSPAK
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M20120TB6JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark27AM4938
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367 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.210 |
| 10+ | $13.930 |
| 25+ | $13.360 |
| 50+ | $12.290 |
| 100+ | $11.490 |
| 250+ | $10.590 |
| 500+ | $10.190 |
| 1200+ | $9.740 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.21
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2M20120TB6JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark27AM4938
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id134
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.029
Diseño de TransistorTSPAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia592
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
134
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.029
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TSPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
592
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto