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WNSC2D08650TJ
SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 8A, DFN
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2D08650TJ
No. Parte Newark37AJ9158
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWNSC2D08650TJ
No. Parte Newark37AJ9158
Hoja de datos técnicos
Rango de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650V
Corriente Directa Promedio8A
Carga Capacitiva Total13nC
Estilo de la Carcasa del DiodoDFN
No. de Pines5 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650V
Carga Capacitiva Total
13nC
No. de Pines
5 Pines
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
8A
Estilo de la Carcasa del Diodo
DFN
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto