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WG40N120HFW1Q
IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG40N120HFW1Q
No. Parte Newark27AM4926
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG40N120HFW1Q
No. Parte Newark27AM4926
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2
Disipación de Potencia750
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80
Disipación de Potencia
750
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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