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WG30R140W1Q
IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pines
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG30R140W1Q
No. Parte Newark27AM4925
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.240 |
| 10+ | $2.870 |
| 25+ | $2.580 |
| 50+ | $2.450 |
| 100+ | $2.200 |
| 480+ | $1.930 |
| 720+ | $1.880 |
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteWG30R140W1Q
No. Parte Newark27AM4925
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua60
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8
Disipación de Potencia357
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.4
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
WG30R140W1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop technology IGBT with monolithic body diode. This device is part of reverse-conducting of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency for soft commutation. Typical applications include microwave ovens, induction heating, resonant converters, soft switching applications.
- Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
- Low conduction losses, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Collector-emitter breakdown voltage is 1400V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2V typ at VGE = 0V; IF = 30A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 100μA max at VCE = 1400V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 153nC typ at VCC = 1120V; IC = 30A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 129nS typ at Tj=25°C;IC=30A; VGE=15V / 0V; RG=10 ohm;Cr=300nF; R=2ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
60
Disipación de Potencia
357
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.4
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Pendiente
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto