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NXPSC04650DJ
SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 4A, TO-252
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteNXPSC04650DJ
No. Parte Newark65AC6169
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricanteNXPSC04650DJ
No. Parte Newark65AC6169
Hoja de datos técnicos
Rango de Producto-
Configuración de DiodoÚnico
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650V
Corriente Directa Promedio4A
Carga Capacitiva Total-
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-252 (DPAK)
No. de Pines2 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Montaje del DiodoSurface Mount
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650V
Carga Capacitiva Total
-
No. de Pines
2 Pines
Montaje del Diodo
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración de Diodo
Único
Corriente Directa Promedio
4A
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-252 (DPAK)
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto