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TN2404K-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 240 V, 200 mA, 4 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | TN2404K-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 62 semanas |
| No. Parte Newark | 79R5407 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | TN2404K-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 62 semanas |
| No. Parte Newark | 79R5407 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 240 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 200 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 2.2ohm |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 360mW |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 800 |
| Disipación de Potencia | 360 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (19-Jan-2021) |
Resumen del producto
El TN2404K-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 240 VDS adecuado para relés, solenoides, lámparas, martillos, pantallas, transistores y controladores de memoria.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- 260V desglose secundario libre
- Bajo consumo de energía/voltaje
- Fuga baja de entrada y salida
- Excelente estabilidad térmica
- Bajo voltaje de compensación
- Operación a voltaje completo
- Fácilmente manejado sin búfer
- Bajo error de voltaje
- No hay alta temperatura "Huida”
- Libre de halógenos
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 240 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 360mW |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 800 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 200 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 2.2ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | SOT-23 |
| Disipación de Potencia | 360 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (19-Jan-2021) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza TN2404K-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (19-Jan-2021) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |