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SUP85N15-21-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 85 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP85N15-21-E3
No. Parte Newark06J8579
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 49 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 500+ | $2.590 |
| 1000+ | $2.560 |
| 2500+ | $2.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 500
Múltiple: 500
$1,295.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP85N15-21-E3
No. Parte Newark06J8579
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id85A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd2.4W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia2.4W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
85A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Disipación de Potencia Pd
2.4W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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