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SUP85N10-10-GE3
MOSFET, CANAL N, 100V, 85A, TO-220AB
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $4.060 |
| 25+ | $3.950 |
| 50+ | $3.830 |
| 100+ | $3.720 |
| 250+ | $3.530 |
| 500+ | $3.330 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP85N10-10-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark57AJ0786
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id85A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
85A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto