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SUP60020E-GE3
MOSFET, CANAL N, 80V, 150A, 175°C, 375W
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.690 |
| 10+ | $2.420 |
| 25+ | $2.350 |
| 50+ | $2.270 |
| 100+ | $2.200 |
| 250+ | $2.120 |
| 500+ | $2.040 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP60020E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark10AH1178
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia de Activación Rds(on)0.002ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.002ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
375W
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto