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SUM60N10-17-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SUM60N10-17-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 37 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo06J8528 Cinta adhesiva69W7250 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 800 | $1.900 | $1,520.00 |
| Total Precio | $1,520.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $1.900 |
| 1600+ | $1.860 |
| 2400+ | $1.820 |
| 4000+ | $1.790 |
| 8000+ | $1.750 |
| 20000+ | $1.710 |
| 40000+ | $1.670 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.670 |
| 1600+ | $2.620 |
| 2400+ | $2.560 |
| 4000+ | $2.510 |
| 8000+ | $2.460 |
| 20000+ | $2.400 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SUM60N10-17-E3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 37 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo06J8528 Cinta adhesiva69W7250 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 60 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.013ohm |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.013 |
| Diseño de Transistor | TO-263 (D2PAK) |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Disipación de Potencia Pd | 150W |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El SUM60N10-17-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 100 VDS adecuado para aplicaciones aisladas de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Encapsulado de baja resistencia térmica
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.013ohm |
| Diseño de Transistor | TO-263 (D2PAK) |
| Disipación de Potencia Pd | 150W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 60 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.013 |
| Montaje de Transistor | Montaje Superficial |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 150 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |