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SUM60N10-17-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM60N10-17-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06J8528
Cinta adhesiva69W7250
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 800 | $1.860 | $1,488.00 |
| Total Precio | $1,488.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $1.860 |
| 1600+ | $1.820 |
| 2400+ | $1.790 |
| 4000+ | $1.750 |
| 8000+ | $1.720 |
| 20000+ | $1.710 |
| 40000+ | $1.700 |
| 80000+ | $1.690 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.650 |
| 2400+ | $2.600 |
| 4000+ | $2.540 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM60N10-17-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo06J8528
Cinta adhesiva69W7250
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd150W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SUM60N10-17-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 100 VDS adecuado para aplicaciones aisladas de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Encapsulado de baja resistencia térmica
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
150W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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