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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.610 |
| 10+ | $3.280 |
| 25+ | $3.090 |
| 50+ | $2.900 |
| 100+ | $2.650 |
| 500+ | $2.470 |
| 1000+ | $2.220 |
| 2500+ | $2.100 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM60020E-GE3
No. Parte Newark10AH1177
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.00175ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Alternativas para el número de pieza SUM60020E-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2100µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00175ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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Certificado de conformidad del producto