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SUG90090E-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 100A, TO-247
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUG90090E-GE3
No. Parte Newark15AC8717
Rango de ProductoThunderFET
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.310 |
| 10+ | $4.000 |
| 25+ | $3.850 |
| 50+ | $3.690 |
| 100+ | $3.540 |
| 500+ | $3.380 |
| 1000+ | $3.290 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.31
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUG90090E-GE3
No. Parte Newark15AC8717
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9500µohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia395W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9500µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
395W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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