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SQS141ELNW-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 101 A, 7400 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS141ELNW-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6379
Re-reeling (Rollos a medida)47AK1694RL
Cinta adhesiva47AK1694
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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495 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.790 | $8.95 |
| Total Precio | $8.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.790 |
| 50+ | $1.190 |
| 100+ | $0.835 |
| 250+ | $0.761 |
| 500+ | $0.687 |
| 1000+ | $0.640 |
| 2500+ | $0.609 |
| 5000+ | $0.578 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.579 |
| 9000+ | $0.533 |
| 15000+ | $0.516 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS141ELNW-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6379
Re-reeling (Rollos a medida)47AK1694RL
Cinta adhesiva47AK1694
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id101A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7400µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8SLW
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia192W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8SLW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
192W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
101A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7400µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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