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SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET, CANAL N, 40V, 350A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ136ELP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AJ3252RL
Cinta adhesiva15AJ3252
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.910 | $2.91 |
| Total Precio | $2.91 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.910 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.460 |
| 250+ | $1.370 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.160 |
| 2500+ | $1.140 |
| 5000+ | $1.120 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ136ELP-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AJ3252RL
Cinta adhesiva15AJ3252
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id350A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1120µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
350A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1120µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
Disipación de Potencia
500W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto