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SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark42AJ0901
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.757 |
| 10+ | $0.649 |
| 100+ | $0.498 |
| 500+ | $0.440 |
| 1000+ | $0.383 |
| 2500+ | $0.325 |
| 10000+ | $0.322 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_GE3Copiar
No. Parte Newark42AJ0901
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N4
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.04
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SQ4946CEY-T1_GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Trazabilidad del producto