Imprimir página
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 7 A, 0.04 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark42AJ0901
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
12,484 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.946 |
| 10+ | $0.811 |
| 100+ | $0.623 |
| 500+ | $0.550 |
| 1000+ | $0.479 |
| 2500+ | $0.389 |
| 10000+ | $0.376 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.95
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ4946CEY-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark42AJ0901
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.04
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N4
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.04
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SQ4946CEY-T1_GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto