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SQ3457EV-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 6.8A, TSOP
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3457EV-T1_GE3
No. Parte Newark75AH9250
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
5,583 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.090 |
| 10+ | $0.683 |
| 25+ | $0.605 |
| 50+ | $0.525 |
| 100+ | $0.447 |
| 250+ | $0.397 |
| 500+ | $0.346 |
| 1000+ | $0.313 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ3457EV-T1_GE3
No. Parte Newark75AH9250
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia5
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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