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SQ2389ES-T1_GE3
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, -40, -4.1A, SOT23
4,046 En Inventario
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.310 | $1.31 |
| Total Precio | $1.31 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.310 |
| 10+ | $0.835 |
| 25+ | $0.756 |
| 50+ | $0.678 |
| 100+ | $0.599 |
| 250+ | $0.545 |
| 500+ | $0.490 |
| 1000+ | $0.451 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2389ES-T1_GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)96Y9640
Cinta adhesiva96Y9640
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id4.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0.094ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.094ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- Automotive P-channel 40V (D-S) 175°C TrenchFET® power MOSFET
- AEC-Q101 qualified, 100 % Rg and UIS tested, single configuration
- Minimum drain-source voltage is -40V (VGS = 0V, ID = -250μA, TC = 25°C)
- 0.094 maximum drain-source on-state resistance (VGS = -10V, ID = -3A)
- Continuous drain current is -4.1A (TC = 25°C)
- Maximum Gate-source leakage is ±100nA (VDS = 0V, VGS = ±20V, TC = 25°C)
- 360pF input capacitance typical (VGS = 0V, VDS = -20V, f = 1MHz)
- Gate resistance range from 3.1 to 7ohm (f = 1MHz, TC = 25°C)
- 7ns turn-on delay time typical (VDD = -20V, RL = 6.7ohm ID ≅ -3A, VGEN = -10V, Rg = 1ohm)
- SOT-23 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.094ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.094ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3W
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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