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SIZ340BDT-T1-GE3
DUAL MOSFET, N-CH, 30V, 69.3A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ340BDT-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0550
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4581
Cinta adhesiva04AJ4581
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
7,703 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.400 | $7.00 |
| Total Precio | $7.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 10+ | $0.878 |
| 25+ | $0.776 |
| 50+ | $0.674 |
| 100+ | $0.572 |
| 250+ | $0.506 |
| 500+ | $0.440 |
| 1000+ | $0.398 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.313 |
| 6000+ | $0.301 |
| 12000+ | $0.288 |
| 18000+ | $0.279 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ340BDT-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0550
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4581
Cinta adhesiva04AJ4581
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N69.3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P69.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3590µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente3590µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N31W
Disipación de Potencia de Canal P31W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
69.3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
3590µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
31W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
69.3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3590µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
31W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIZ340BDT-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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