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SISS63DN-T1-GE3
MOSFET, CANAL P, -20V, -127.5A, 150°C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS63DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6255
Re-reeling (Rollos a medida)42AH1979RL
Cinta adhesiva42AH1979
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.619 | $0.00 |
| Total Precio | $3.09 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.980 |
| 50+ | $1.310 |
| 100+ | $0.916 |
| 250+ | $0.839 |
| 500+ | $0.761 |
| 1000+ | $0.701 |
| 2500+ | $0.675 |
| 5000+ | $0.649 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.619 |
| 9000+ | $0.571 |
| 15000+ | $0.552 |
Si desea una menor cantidad, puede seleccionar otro tipo de embalaje
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS63DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6255
Re-reeling (Rollos a medida)42AH1979RL
Cinta adhesiva42AH1979
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id127.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2700µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8S
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia65.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
127.5A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2700µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto