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SIS890DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS890DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6484RL
Cinta adhesiva70AC6484
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.940 | $1.94 |
| Total Precio | $1.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.940 |
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $0.958 |
| 250+ | $0.881 |
| 500+ | $0.803 |
| 1000+ | $0.754 |
| 2500+ | $0.727 |
| 5000+ | $0.700 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS890DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6484RL
Cinta adhesiva70AC6484
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0235
Resistencia de Activación Rds(on)0.0195ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SIS890DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 100 VDS, adecuado para bloques de telecomunicaciones, interruptor de lado primario y aplicaciones de rectificación síncrona.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Capaz de operar con control de compuerta de 5V
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0235
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0195ohm
Disipación de Potencia Pd
52W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIS890DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto