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SIS888DN-T1-GE3
MOSFET, CANAL N 150V 20.2A POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark26AK5813
Rango de ProductoThunderFET Series
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.570 |
| 10+ | $1.740 |
| 25+ | $1.580 |
| 50+ | $1.420 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS888DN-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark26AK5813
Rango de ProductoThunderFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id20.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.058ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.058ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
20.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto