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SIS412DN-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark15AC0289
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.335 |
| 9000+ | $0.330 |
| 15000+ | $0.311 |
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Mínimo: 3000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark15AC0289
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd15.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia15.6
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Disipación de Potencia Pd
15.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
15.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIS412DN-T1-GE3.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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