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SIS412DN-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 12A, POWERPAK8
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark55R1906
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.850 |
| 10+ | $0.530 |
| 100+ | $0.345 |
| 500+ | $0.265 |
| 1000+ | $0.240 |
| 2500+ | $0.235 |
| 10000+ | $0.230 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS412DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark55R1906
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd15.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia15.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIS412DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 30V. Adecuado para interruptores de carga, PC portátiles, PC de escritorio y aplicaciones de estación de juegos. El MOSFET de canal N para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con resistencias de matriz de alrededor de 1 mO y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
15.6W
Disipación de Potencia
15.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIS412DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto