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SIS410DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 35 A, 0.0048 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS410DN-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6932
Cinta adhesiva05W6932
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.380 | $1.38 |
| Total Precio | $1.38 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.380 |
| 25+ | $1.010 |
| 50+ | $0.916 |
| 100+ | $0.820 |
| 250+ | $0.751 |
| 500+ | $0.682 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS410DN-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6932
Cinta adhesiva05W6932
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0048
Resistencia de Activación Rds(on)0.004ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0048
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.004ohm
Disipación de Potencia Pd
52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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