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SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 38.3 A, 0.0075 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark68W7091
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.341 |
| 6000+ | $0.320 |
| 9000+ | $0.311 |
| 15000+ | $0.305 |
| 30000+ | $0.299 |
| 75000+ | $0.292 |
| 150000+ | $0.286 |
| 300000+ | $0.280 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,023.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS322DNT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark68W7091
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id38.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd19.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia19.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
19.8W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
38.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
19.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
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