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SIS176LDN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 70 V, 42.3 A, 0.0109 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS176LDN-T1-GE3
No. Parte Newark87AJ3414
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.777 |
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| 500+ | $0.452 |
| 1000+ | $0.394 |
| 2500+ | $0.334 |
| 10000+ | $0.330 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS176LDN-T1-GE3
No. Parte Newark87AJ3414
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds70
Intensidad Drenador Continua Id42.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0109
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia39
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
42.3
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
39
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0109
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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