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SIRS5800DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 265A/POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRS5800DP-T1-GE3
No. Parte Newark76AK7100
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.780 |
| 10+ | $3.360 |
| 25+ | $3.090 |
| 50+ | $2.820 |
| 100+ | $2.550 |
| 250+ | $2.460 |
| 500+ | $2.370 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRS5800DP-T1-GE3
No. Parte Newark76AK7100
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id265A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia240W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen V Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
265A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
240W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen V Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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