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SIRA18DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 33 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| 50+ | $0.559 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA18DP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark19X1949
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.006ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia14.7
Disipación de Potencia Pd14.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 30 V (D-S) adecuado para su uso en conversión CD/CD, protección de batería, conmutación de carga e inversores CD/CA.
- MOSFET de potencia TrenchFET® Gen IV
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7500µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
14.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia de Activación Rds(on)
0.006ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia Pd
14.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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