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SIR882ADP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR882ADP-T1-GE3
No. Parte Newark19X1954
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.310 |
| 10+ | $2.150 |
| 25+ | $1.940 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.500 |
| 250+ | $1.390 |
| 500+ | $1.280 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR882ADP-T1-GE3
No. Parte Newark19X1954
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0087
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0087
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIR882ADP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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