Imprimir página
SIR846DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR846DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark35R6201
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 41 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.180 |
| 6000+ | $1.160 |
| 9000+ | $1.130 |
| 15000+ | $1.110 |
| 30000+ | $1.090 |
| 75000+ | $1.060 |
| 150000+ | $1.040 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,540.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR846DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark35R6201
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0078
Resistencia de Activación Rds(on)0.0078ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd6.25W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia6.25
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0078
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
6.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0078ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
6.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIR846DP-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto