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SIR616DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 20.2A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR616DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0402
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR616DP-T1-GE3
No. Parte Newark57AJ0402
Rango de ProductoThunderFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id20.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0505ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia52W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoThunderFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0505ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
ThunderFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto