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SIR426DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR426DP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM1978
Cinta adhesiva49AM1978
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69 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.340 | $1.34 |
| Total Precio | $1.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.340 |
| 25+ | $0.856 |
| 50+ | $0.711 |
| 100+ | $0.566 |
| 250+ | $0.506 |
| 500+ | $0.445 |
| 1000+ | $0.405 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR426DP-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM1978
Cinta adhesiva49AM1978
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia41.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
41.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
