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SIR165DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, 150DEG C
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR165DP-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2789
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
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Hoja de datos técnicos
5,537 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $1.690 |
| 25+ | $1.540 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR165DP-T1-GE3
No. Parte Newark81AC2789
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4600µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia65.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
65.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIR165DP-T1-GE3
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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