Imprimir página
SIJA22DP-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 25V, 201A, POWERPAK SO
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJA22DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6218
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4576RL
Cinta adhesiva04AJ4576
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
2,036 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.740 | $13.70 |
| Total Precio | $13.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.740 |
| 10+ | $1.850 |
| 15+ | $1.720 |
| 25+ | $1.600 |
| 50+ | $1.470 |
| 125+ | $1.340 |
| 250+ | $1.310 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.947 |
| 9000+ | $0.882 |
| 15000+ | $0.864 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJA22DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6218
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4576RL
Cinta adhesiva04AJ4576
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id201A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente570µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia48W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
48W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
201A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
570µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto