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SIJ450DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 45V, 113A, 150DEG C, 48W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ450DP-T1-GE3
No. Parte Newark50AJ6054
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ450DP-T1-GE3
No. Parte Newark50AJ6054
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45V
Intensidad Drenador Continua Id113A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia48W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
113A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
Disipación de Potencia
48W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto