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SIJ450DP-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 45V, 113A, 150°C, 48W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ450DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AJ6054RL
Cinta adhesiva50AJ6054
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.910 | $1.91 |
| Total Precio | $1.91 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.910 |
| 50+ | $1.670 |
| 100+ | $1.530 |
| 250+ | $1.410 |
| 500+ | $1.220 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $0.994 |
| 5000+ | $0.963 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ450DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AJ6054RL
Cinta adhesiva50AJ6054
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45V
Intensidad Drenador Continua Id113A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia48W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
48W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
113A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto