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SIHU5N50D-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHU5N50D-GE3
No. Parte Newark63W4119
Rango de ProductoD
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id5.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Diseño de TransistorTO-251
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia104W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoD
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-251
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
D
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (19-Jan-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto