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SIHP21N80AEF-GE3
MOSFET CANAL N, 800V, 16.3A, 150°C, 179W
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.770 |
| 10+ | $2.480 |
| 25+ | $2.230 |
| 50+ | $1.990 |
| 100+ | $1.740 |
| 250+ | $1.600 |
| 500+ | $1.460 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP21N80AEF-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark50AJ6053
Rango de ProductoEF
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id16.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia179W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoEF
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
179W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
EF
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
16.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto