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SIHP20N50E-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 19 A, 0.184 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.950 |
| 2000+ | $1.870 |
| 3000+ | $1.830 |
| 5000+ | $1.800 |
| 10000+ | $1.760 |
| 25000+ | $1.720 |
| 50000+ | $1.680 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$1,950.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP20N50E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark38Y8554
Rango de ProductoSerie E
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id19
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.184
Resistencia de Activación Rds(on)0.16ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd179W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia179
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIHP20N50E-GE3 es un MOSFET de potencia en modo N de canal N de mejora adecuado para computación, iluminación, electrónica de consumo, fuentes de alimentación de modo de conmutación y aplicaciones de topología de conmutación dura.
- Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
- Baja capacitancia de entrada (CISS)
- Conmutación reducida
- Reducción de las pérdidas de conducción.
- Baja carga de compuerta (Qg)
- Energía de avalancha clasificada (UIS)
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.184
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
179W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19
Resistencia de Activación Rds(on)
0.16ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
179
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie E
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto