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SIHP052N60EF-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP052N60EF-GE3
No. Parte Newark77AH0224
Rango de ProductoEF IV Gen Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.360 |
| 10+ | $5.930 |
| 25+ | $5.640 |
| 50+ | $5.460 |
| 100+ | $5.280 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP052N60EF-GE3
No. Parte Newark77AH0224
Rango de ProductoEF IV Gen Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id48
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia278
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoEF IV Gen Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
EF IV Gen Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
48
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
278
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto