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SIHG47N65E-GE3
MOSFET, CANAL N, 650V, 47A, TO-247AC
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 6 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.510 |
| 10+ | $6.510 |
| 25+ | $5.940 |
| 50+ | $5.380 |
| 100+ | $4.810 |
| 250+ | $4.680 |
| 500+ | $4.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.51
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG47N65E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark26AK5799
Rango de ProductoE Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id47A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.072ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia417W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.072ohm
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
417W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto